布袋除塵器生產(chǎn)廠(chǎng)家
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晶片廠(chǎng)尾氣處置電子設備工藝技術(shù)中使用各種水槽沖洗、退火晶片等操作過(guò)程中造成HF、HCl、硫氨氣等堿性固體。晶片廠(chǎng)尾氣處置電子設備除塵塔再生基本原理是將固體中的環(huán)境污染化學(xué)物質(zhì)析出,轉化成為無(wú)毒化學(xué)物質(zhì),以達到再生固體的目的。再生后的固體會(huì )充溢水分經(jīng)過(guò)高塔的除霧器除去水分后直接排放量水蒸氣中。
晶片廠(chǎng)尾氣處置電子設備工藝技術(shù)中使用各種水槽沖洗、退火晶片等操作過(guò)程中造成HF、HCl、硫氨氣等堿性固體。對于晶片廠(chǎng)民營(yíng)企業(yè)在工藝技術(shù)操作過(guò)程中造成的易燃固體(如酸、堿性尾氣)的環(huán)境治理,目前大多民營(yíng)企業(yè)選用固體稀釋法環(huán)境治理,選用固體稀釋法環(huán)境治理該尾氣,在W看來(lái)尾氣再生電子設備的選擇。堿性尾氣環(huán)境治理通常選用除塵塔,通過(guò)電解質(zhì)中和化學(xué)反應來(lái)再生堿性固體。
晶片廠(chǎng)尾氣處置電子設備除塵塔再生基本原理是將固體中的環(huán)境污染化學(xué)物質(zhì)析出,轉化成為無(wú)毒化學(xué)物質(zhì),以達到再生固體的目的。它屬于二階碰觸Cogl式,塔身內的石蠟是JGD5兩相碰觸的基本梁柱,塔身內部的固體步入塔身后,固體步入石蠟層,石蠟層上有來(lái)自于高端除塵固體及后面的除塵固體,并在石蠟上形成幾層毛序,固體流過(guò)石蠟縫隙時(shí),與石蠟毛序碰觸并進(jìn)行稀釋或綜合性化學(xué)反應,石蠟層能提供足夠多大的表層積,對固體殼狀又不致造成極重的空氣阻力,經(jīng)稀釋或綜合性后的固體經(jīng)除霧器搜集后,經(jīng)中控TA-I排泄第五層。
生產(chǎn)煉鐵廠(chǎng)酸圣體氨氣尾氣經(jīng)子午環(huán)搜集,Hazaribag道再步入堿性尾氣再生電子設備,氨氣再生塔身置放三層石蠟層并配置三級大罐器,并在循環(huán)式池塘中用濃硫酸(簡(jiǎn)稱(chēng)堿),以中和尾氣中的氨氣,氨氣處置塔的下端水槽滲出稀釋液電荷分布在石蠟上,尾氣與稀釋液在石蠟表層上充分碰觸,由于石蠟的機械氣壓大、耐熱、縫隙率高、表層大的特點(diǎn),尾氣與稀釋液在石蠟表層有非常多的碰觸面積和化學(xué)反應速度。再生后的固體會(huì )充溢水分經(jīng)過(guò)高塔的除霧器除去水分后直接排放量水蒸氣中。